電子元器件整合供應(yīng)商
登錄

解決方案

作為致力成為最具價(jià)值的電子元器件整合供應(yīng)商，南京南山擁有能為客戶提供全套電子元器件的強(qiáng)大整合能力。公司擁有專門技術(shù)團(tuán)隊(duì)，建有電子元器件例行試驗(yàn)室，能為客戶提供全方位的技術(shù)咨詢、器件選型、樣品提供、器件檢測等增值服務(wù)。

長晶科技與UTC的2N7000 N溝道MOSFET參數(shù)異同及選用指南

發(fā)布時(shí)間：2025-04-03 品牌：長晶(JSCJ) 瀏覽量：26

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，場效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為核心功率開關(guān)器件，其性能優(yōu)劣直接影響電路效率、可靠性及整體成本。2N7000作為經(jīng)典的小功率N溝道MOSFET，憑借其低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性及緊湊封裝，被廣泛應(yīng)用于便攜設(shè)備電源管理、電機(jī)控制、信號切換等領(lǐng)域。本文參考官方的規(guī)格書，對比了友順（UTC）和長晶科技（JSCJ）生產(chǎn)的2N7000 MOSFET的參數(shù)異同，并提供選用建議。

一、相同點(diǎn)

1、最大漏源電壓（VDSS）
兩款器件的最大漏源電壓均為60V，適用于低壓至中壓的開關(guān)場景。
2、封裝形式
均采用TO-92封裝，引腳排列一致（源極、柵極、漏極），兼容性高，便于替換設(shè)計(jì)。
3、基礎(chǔ)應(yīng)用場景
均推薦用于便攜設(shè)備負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等低功率電路，滿足小信號切換與電源管理需求。

二、不同點(diǎn)

參數(shù)/型號 長晶科技 2N7000 UTC 2N7000 差異分析
導(dǎo)通電阻（RDS(on) (Max) 5Ω@10V
6Ω@4.5V		 7.5Ω@10V
7.5Ω@5V		 高壓（10V）下長晶科技效率更高；
低壓（4.5V vs. 5V）測試條件不同，需結(jié)合實(shí)際電壓評估。
連續(xù)漏極電流（ID） 200mA 115mA 長晶科技持續(xù)負(fù)載能力更強(qiáng)，適合長時(shí)間工作場景。
最大功耗（PD） 0.625W 400mW 長晶科技散熱設(shè)計(jì)更優(yōu)，可承受更高功率。
門限電壓（VGS(th)） 0.8V~3V 1V~2.5V UTC門限范圍更集中，驅(qū)動電路設(shè)計(jì)更簡單；
長晶科技下限低至0.8V，兼容超低電壓系統(tǒng)（如3.3V）。

三、選用建議

1、高壓場景（≥10V）
選長晶科技：導(dǎo)通電阻更低（5Ω@10V），損耗更小，適合12V電源或DC/DC轉(zhuǎn)換。
2、低壓驅(qū)動（4.5V~5V）
4.5V系統(tǒng)選長晶（6Ω@4.5V）；5V系統(tǒng)看成本（兩者導(dǎo)通電阻相近）。
3、持續(xù)大電流需求
選長晶科技：連續(xù)電流200mA，散熱更強(qiáng)，適合長時(shí)間工作。 4、超低電壓控制（如3.3V）
長晶更優(yōu)：門限電壓下限0.8V，易觸發(fā)導(dǎo)通。
5、輕載低成本場景
可選UTC：適合信號切換或邏輯控制（電流≤100mA），降低成本。

 

長晶科技2N7000在高壓效率、持續(xù)負(fù)載能力及散熱性能上占據(jù)優(yōu)勢，適合中功率場景；UTC 2N7000則以門限電壓集中性和低成本為特點(diǎn)，適用于簡單開關(guān)電路。工程師應(yīng)根據(jù)具體電壓、電流需求及成本預(yù)算，結(jié)合實(shí)測驗(yàn)證，選擇最優(yōu)方案。

 

南山電子是長晶科技與友順UTC原廠授權(quán)代理商。歡迎咨詢選購2N7000 MOSFET，如需更多產(chǎn)品信息請咨詢南山半導(dǎo)體官方網(wǎng)站在線客服。