N溝道MOSFET

N溝道MOSFET是一種電壓控制器件，它分為增強型和耗盡型兩種。在N溝道MOSFET中，輕摻雜的P型襯底可以形成器件本體，而源極和漏極區(qū)用N型雜質重摻雜。源極和主體通常連接到接地端子，一旦向柵極端子施加正電壓，由于柵極的正性和等效電容效應，P型襯底的少數(shù)電荷載流子就會吸引到柵極端子。P型襯底的多數(shù)電荷載流子（如電子）和少數(shù)電荷載流子將被吸引到柵極端子，使其通過電子與空穴的復合在介電層下方形成一個未覆蓋的負離子層。如果不斷增加正柵極電壓，復合過程將在閾值電壓水平之后達到飽和，然后像電子一樣的電荷載流子將開始在該位置聚集，形成自由電子傳導通道。這些自由電子也將來自重摻雜源，并耗盡N型區(qū)。如果在漏極端施加+ve電壓，那么電流將在整個通道中流動。因此，溝道電阻將取決于溝道內的電子等自由電荷載流子。同樣，這些電子將取決于該溝道內器件的柵極電位。當自由電子濃度形成通道時，由于柵極電壓的增加，整個通道的電流將增強 。