解決方案

超級溝槽功率MOSFET：NCEP3065QU新潔能Mos管中文資料/樣品申請/現(xiàn)貨價格

發(fā)布時間：2025-03-12 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：13

NCEP3065QU是由新潔能（NCE）生產(chǎn)的高性能N溝道超級溝槽（Super Trench）功率MOSFET，采用先進的超溝槽技術(shù)，優(yōu)化了高頻開關(guān)性能，能夠有效降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。它適用于高頻開關(guān)和同步整流等應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、通信等領(lǐng)域。以下是超級溝槽功率MOSFET：NCEP3065QU新潔能Mos管中文資料：

NCEP3065QU主要參數(shù)：

漏源電壓（VDS）：30V
連續(xù)漏極電流（ID）：65A
脈沖漏極電流（IDM）：260A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：1.9mΩ @ VGS=10V；3.0mΩ @ VGS=4.5V
柵源電壓（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：550W
單脈沖雪崩能量（EAS）：500mJ
工作溫度范圍：-55℃至150℃

NCEP3065QU性能特點：

低導(dǎo)通損耗：通過超級溝槽（Super Trench）技術(shù)優(yōu)化結(jié)構(gòu)，顯著降低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），減少能量損耗。
高頻開關(guān)性能：低柵極電荷（Qg）和快速開關(guān)速度，適合高頻PWM控制或同步整流應(yīng)用。
高可靠性: 耐高溫和抗沖擊能力強，適用于工業(yè)與汽車電子等嚴(yán)苛環(huán)境。
優(yōu)異的封裝：采用DFN3.3X3.3-8L封裝，尺寸僅為3mm x mm毫米，非常適合用于小型電子設(shè)備中，該封裝還具有較好的熱性能，可以幫助器件有效地散熱。
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