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新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品介紹
SGT技術本身是一種先進的制造工藝，通過減小場效應晶體管的寄生電容及導通電阻，提升了芯片性能，并減少了芯片面積。與傳統(tǒng)的溝槽型MOSFET相比，SGT技術能夠在相同功耗下將芯片面積減少40%甚至更多。之前有相關文章介紹了新潔能N溝道SGT-I和SGT-II系列產(chǎn)品，今天來介紹新潔能新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點:
- 導通電阻降低：相比于上一代產(chǎn)品，SGT-Ⅲ系列MOSFET的特征導通電阻降低了20%以上。
- 開關特性優(yōu)良：該MOSFET具有超低柵極電荷和大電流關斷能力強的特點，能夠實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機控制。
- 抗沖擊能力強：新潔能的Super Trench技術提升了MOSFET器件在電能轉換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時確保在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊耐量短路能力提升：短路能力也提升了10%以上，進一步增強了產(chǎn)品的性能和競爭力。
- EMI特優(yōu)化性：第三代產(chǎn)品具有更優(yōu)的電磁干擾（EMI）特性，可以更好地應對電磁干擾問題。
| 30-250V N溝道SGT-III MOSFET產(chǎn)品列表 | |||
|---|---|---|---|
| NCEP008NH40GU | NCEP088NH150GU | NCEP015NH30AQU | NCEP055NH40GU |
| NCEP023NH30GU | NCEP008NH40ASL | NCEP015NH30GU | NCEP055NH40AGU |
| NCEP040NH150LL | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30AGU | NCEP011NH40GU |
| NCEP011NH25QU | NCEP023NH85GU | NCEP015NH100LL | NCEP015NH40GU |
| NCEP048NH150T | NCEP014NH60GU | NCEP058NH150 | NCEP011NH40AGU |
產(chǎn)品應用:
- 電源管理：廣泛于電源開關、電源逆變器、電源供應和穩(wěn)壓器等應用，以提供高效的電能控制和穩(wěn)定的電壓輸出。
- 電機控制：適用于高功率電機控制，如電動機驅動器、工業(yè)自動化設備、大型電機和電機保護電路。
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