新潔能12-300V NP MOSFET系列產(chǎn)品介紹/免費(fèi)樣品/選型支持-新潔能代理

新潔能提供的12V~300V NP MOSFET系列產(chǎn)品，采用了先進(jìn)的工藝制造技術(shù)和優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)，結(jié)合了N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有出色的電氣性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。南山電子是新潔能公司授權(quán)代理商，倉庫現(xiàn)貨超過200k，可以為各類新產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供小批量樣品快速發(fā)貨服務(wù)，以下是新潔能12-300V NP MOSFET系列產(chǎn)品介紹, 如需選型支持可以聯(lián)系南山半導(dǎo)體官方網(wǎng)站在線客服。

Complementary MOSFET:

• 技術(shù)特點(diǎn)：12V~100V Complementary（N、P型互補(bǔ)式）MOSFET產(chǎn)品，是通過將P型與N型Trench功率MOSFET產(chǎn)品分別以高、低邊互補(bǔ)配置的方式集成至單個(gè)封裝中，極大程度上優(yōu)化了產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)。該類Complementary MOSFET產(chǎn)品不僅能夠提高設(shè)計(jì)人員的設(shè)計(jì)效率，同時(shí)也優(yōu)化的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。基于緊湊型的封裝形式，可以為設(shè)計(jì)人員提供成本優(yōu)化且更加可靠的解決方案。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制以及電池管理系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等多種封裝形式。

Dual N and P-Channel MOSFET:

• 技術(shù)特點(diǎn)：P型20V~60V 和N型18V~100V的Dual（雙芯）MOSFET產(chǎn)品，通過將兩顆P型或者N型的功率MOSFET產(chǎn)品以并聯(lián)合封的方式集成到單個(gè)封裝中，極大程度上優(yōu)化了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，為設(shè)計(jì)人員簡化電路，提高系統(tǒng)功率密度提供新的選項(xiàng)。該雙芯功率MOSFET產(chǎn)品主要采用Trench以及SGT技術(shù)，設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求選擇。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于電池管理、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等多種封裝形式。

Half-bridge N-Channel MOSFET:

• 技術(shù)特點(diǎn)：N30V的半橋功率MOSFET產(chǎn)品，是通過將兩個(gè)N型功率MOSEFT產(chǎn)品以高、低邊的串聯(lián)的方式集成至單個(gè)封裝中。半橋產(chǎn)品可以簡化系統(tǒng)復(fù)雜度，減少系統(tǒng)寄生參數(shù)，從而優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)效率以及可靠性。該雙芯功率MOSFET產(chǎn)品主要采用Trench以及SGT技術(shù)，設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求選擇。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于半橋驅(qū)動等領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括DFN3*3、DFN5*6等多種封裝形式。