解決方案

新潔能12-300V NP MOSFET系列產(chǎn)品介紹/免費樣品/選型支持-新潔能代理

發(fā)布時間：2024-12-04 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：450

新潔能提供的12V~300V NP MOSFET系列產(chǎn)品，采用了先進的工藝制造技術(shù)和優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)，結(jié)合了N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的優(yōu)點，具有出色的電氣性能和廣泛的應用領域。南山電子是新潔能公司授權(quán)代理商，倉庫現(xiàn)貨超過200k，可以為各類新產(chǎn)品設計提供小批量樣品快速發(fā)貨服務，以下是新潔能12-300V NP MOSFET系列產(chǎn)品介紹, 如需選型支持可以聯(lián)系南山半導體官方網(wǎng)站在線客服。

Complementary MOSFET:

技術(shù)特點：12V~100V Complementary（N、P型互補式）MOSFET產(chǎn)品，是通過將P型與N型Trench功率MOSFET產(chǎn)品分別以高、低邊互補配置的方式集成至單個封裝中，極大程度上優(yōu)化了產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)。該類Complementary MOSFET產(chǎn)品不僅能夠提高設計人員的設計效率，同時也優(yōu)化的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。基于緊湊型的封裝形式，可以為設計人員提供成本優(yōu)化且更加可靠的解決方案。
應用領域：廣泛應用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電機控制以及電池管理系統(tǒng)等各個領域。
封裝形式：包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等多種封裝形式。

Complementary MOSFET熱銷型號推薦
NCE1205	NCE4606B	NCE603S	NCE60NP4035K
NCE2003	NCE30NP1812Q	NCE4688	NCE60NP2016G
NCE20NP1006S	NCE30NP1812K	NCE60NP2012K	NCE60NP1515K
NCE6602N	NCE30D2519K	NCE01NP03S	NCE60NP09S
NCE4503S	NCE30NP4030G	NCE4606	NCE30NP1812G

Dual N and P-Channel MOSFET:

技術(shù)特點：P型20V~60V 和N型18V~100V的Dual（雙芯）MOSFET產(chǎn)品，通過將兩顆P型或者N型的功率MOSFET產(chǎn)品以并聯(lián)合封的方式集成到單個封裝中，極大程度上優(yōu)化了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，為設計人員簡化電路，提高系統(tǒng)功率密度提供新的選項。該雙芯功率MOSFET產(chǎn)品主要采用Trench以及SGT技術(shù)，設計人員可以根據(jù)實際應用需求選擇。
應用領域：廣泛應用于電池管理、電機驅(qū)動以及負載開關(guān)等領域。
封裝形式：包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等多種封裝形式。

Dual N and P-Channel MOSFET熱銷型號推薦
NCE40ND0812S	NCE1230SP	NCE2006NE*	NCE30ND35Q
NCE20ND08U	NCE18ND11U*	NCE2008N	NCE40ND0812S
NCE20ND15Q	NCE8205i	NCE8804*	NCEP40ND80G
NCE40ND25Q	NCE8205t	NCE8651Q*	NCE6005AS
NCE55P04S	NCE8205B	NCE4618SP*	NCE60ND09AS

Half-bridge N-Channel MOSFET:

技術(shù)特點：N30V的半橋功率MOSFET產(chǎn)品，是通過將兩個N型功率MOSEFT產(chǎn)品以高、低邊的串聯(lián)的方式集成至單個封裝中。半橋產(chǎn)品可以簡化系統(tǒng)復雜度，減少系統(tǒng)寄生參數(shù)，從而優(yōu)化系統(tǒng)設計效率以及可靠性。該雙芯功率MOSFET產(chǎn)品主要采用Trench以及SGT技術(shù)，設計人員可以根據(jù)實際應用需求選擇。
應用領域：廣泛應用于半橋驅(qū)動等領域。
封裝形式：包括DFN3*3、DFN5*6等多種封裝形式。