新潔能500-1050V N溝道超結(jié) MOSFET系列產(chǎn)品介紹/選型資料/最新價格

超結(jié)技術(shù)是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，通過優(yōu)化電荷分布來降低導(dǎo)通電阻，同時保持高擊穿電壓，新潔能是國內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù)并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結(jié)功率MOSFET的企業(yè)之一。以下是新潔能代理商南山電子整理的新潔能500-1050V N溝道超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品介紹，如需選型支持和小批量樣品請聯(lián)系我們18251882769（唐經(jīng)理）或者聯(lián)系網(wǎng)站客服。

500-800V N-Channel SJ-III MOSFET:

• 技術(shù)特點：良好的導(dǎo)通電阻，極低的柵極電荷，出色的開關(guān)速度，以及極具競爭力的性價比，成為開關(guān)電源應(yīng)用中的理想選擇。同時，新潔能SJ-III系列產(chǎn)品提供雪崩耐量（EAS）以及靜電釋放能力，提高了系統(tǒng)可靠性。此外，該系列產(chǎn)品采用新潔能自主創(chuàng)新技術(shù)，優(yōu)化了產(chǎn)品開關(guān)特性，使其在系統(tǒng)應(yīng)用時具有更好的EMI表現(xiàn)。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于家用電器驅(qū)動、計算機電源、UPS、電動汽車充電等各個領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等多種封裝形式。

600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET:

• 技術(shù)特點：基于新潔能在SJ-III技術(shù)基礎(chǔ)上，在保證良好的導(dǎo)通電阻、極低柵電荷以及出色的開關(guān)速度前提下，增強了超結(jié)產(chǎn)品的體二極管反向恢復(fù)特性，綜合優(yōu)化了超結(jié)產(chǎn)品由于體二極管反向恢復(fù)帶來的損耗以及可靠性問題。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于全橋、半橋、LLC諧振開關(guān)應(yīng)用等領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括TO-220、TO-263、TO-252、TO-247等多種封裝形式。

500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET:

• 技術(shù)特點：采用第四代技術(shù)超結(jié)技術(shù)的產(chǎn)品，具有優(yōu)異的性能，實現(xiàn)了業(yè)界先進的超低特征導(dǎo)通電阻（Ron,sp），在相同體積下提供更高的功率密度、更低的功耗與更高的效率。此外，針對快速開關(guān)電路，新潔能第四代超結(jié)特別優(yōu)化了開關(guān)性能，提供了更加穩(wěn)健的開關(guān)特性，更好的EMI表現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計提供更大設(shè)計裕量。同時該系列產(chǎn)品還提供良好的抗靜電能力，為設(shè)計人員提供更加可靠的系統(tǒng)穩(wěn)定性。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于家用電器驅(qū)動、計算機電源、UPS、電動汽車充電等領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等多種封裝形式。

500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET:

• 技術(shù)特點：基于新潔能SJ-IV技術(shù)的基礎(chǔ)上，在保證業(yè)界先進的超低特征導(dǎo)通電阻的前提下，特別優(yōu)化了體二極管特性，減小反向恢復(fù)電荷（Qrr）和反向恢復(fù)時間（Trr），大幅度提升了產(chǎn)品的反向恢復(fù)速度與反向恢復(fù)損耗。相比于新潔能SJ-IV產(chǎn)品，可以為設(shè)計人員提供更低的系統(tǒng)總損耗，更高的系統(tǒng)可靠性，以及更大的EMC裕量。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于LLC等橋式電路等領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等多種封裝形式。