新潔能12-300V N溝道MOSFET系列產(chǎn)品介紹 /選型資料/訂貨價(jià)格

南山電子代理品牌新潔能（NCE）是國內(nèi)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）品類最齊全且產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先的公司，公司基于全球半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)理論技術(shù)開發(fā)先進(jìn)產(chǎn)品，是國內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù)，并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結(jié)功率MOSFET的企業(yè)，也是國內(nèi)最早在12英寸工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET量產(chǎn)的企業(yè)。以下是新潔能12-300V N溝道MOSFET系列產(chǎn)品介紹，如需選型支持和小批量樣品，可以聯(lián)系南山半導(dǎo)體官方網(wǎng)站在線客服索取。

12-200V N-Channel Trench MOSFET:

• 技術(shù)特點(diǎn)：采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù)、更優(yōu)的工藝條件、精細(xì)優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化產(chǎn)品導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性、可靠性等并持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品迭代。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)、通信、消費(fèi)電子等各個(gè)領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等多種封裝形式。

30-250V N-Channel SGT-I MOSFET:

• 技術(shù)特點(diǎn)：以技術(shù)水平和卓越的質(zhì)量管理保證了出色的產(chǎn)品性能和可靠性，在降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度的同時(shí)，提供了性價(jià)比。憑借出色的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）與品質(zhì)因子（FOM，RDS(on)×Qg）可實(shí)現(xiàn)快速硬開關(guān)，大幅度增強(qiáng)了應(yīng)用效率。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流、DC電機(jī)控制、太陽能微型逆變器、電信及服務(wù)器電源以及不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多種封裝形式。

30-120V N-Channel SGT-II MOSFET:

• 技術(shù)特點(diǎn)：具有超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）與超低柵極電荷（Qg）的特點(diǎn)，結(jié)合先進(jìn)輕巧緊湊的封裝進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。相比于新潔能上一代SGT-I系列產(chǎn)品，SGT-II系列產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻Ron,sp 降低20%，F(xiàn)OM值進(jìn)降低20%，為設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步提高系統(tǒng)效率提供了更優(yōu)的選擇。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池保護(hù)、AC/DC同步整流等領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多種封裝形式。

30-250V N-Channel SGT-III MOSFET:

• 技術(shù)特點(diǎn)：相比于上一代產(chǎn)品，第三代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻降低20%以上，ESD能力、大電流關(guān)斷能力、短路能力提升10%以上，同時(shí)具有更優(yōu)的EMI特性，可以滿足客戶更高能效、更高可靠性的需求，產(chǎn)品性能及競爭力進(jìn)一步提升。
• 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于電源管理和電機(jī)控制等領(lǐng)域。
• 封裝形式：包括TO-220、TO-247、TO-263、TOLL、DFN 3*3、DFN 5*6、DFN5*6等多種封裝形式。