適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的MOS管：新潔能NCEP60T18場(chǎng)效應(yīng)管

對(duì)于DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率提升，需要有低電壓、大電流的MOS管來(lái)優(yōu)化代換。同步整流技術(shù)通過(guò)使用具有低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET來(lái)取代傳統(tǒng)的整流二極管，從而顯著降低整流損耗，提升產(chǎn)品效率。性能優(yōu)秀的場(chǎng)效應(yīng)管能夠提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率進(jìn)而提升產(chǎn)品質(zhì)量，今天給大家推薦一款適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的MOS管：新潔能NCEP60T18場(chǎng)效應(yīng)管，其良好的制作工藝與參數(shù)性能能給DC-DC轉(zhuǎn)換器做更好的適配，保障產(chǎn)品的可靠性。

NCEP60T18采用了超級(jí)溝槽技術(shù)，這種技術(shù)經(jīng)過(guò)獨(dú)特優(yōu)化，能夠提供最高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。由于RDS(ON)和Qg的組合極低，因此導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)功率損耗都得到了最小化。這款器件非常適合DC/DC轉(zhuǎn)換器，高頻開(kāi)關(guān)和同步整流應(yīng)用。

NCEP60T18主要參數(shù):

• 漏源電壓（Vds）：60V
• 導(dǎo)通電阻（RDS（on））：＜3.2mΩ @ VGS=-10V（典型值：2.8 mΩ）
• 柵極電壓（Vgs）：±20V
• 連續(xù)漏極電流（Id）：180A
• 脈沖漏極電流（IDM）：720A
• 功率（Pd）：2200W
• 單脈沖雪崩能量（EAS）：1036mJ
• 工作溫度范圍：-55℃~+175℃

NCEP60T18在DC-DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

• 極低的導(dǎo)通電阻：NCEP60T18因其采用SGT工藝來(lái)獲得極低的RDSON導(dǎo)通電阻，這可以顯著降低導(dǎo)通損耗，使得轉(zhuǎn)換器的效率得到提升。
• 低柵極電荷：柵極電荷是MOSFET等功率器件的重要參數(shù)之一，它直接影響到器件的開(kāi)關(guān)速度和損耗。NCEP60T18的柵極電荷低，意味著在驅(qū)動(dòng)MOSFET時(shí)所需的能量較少，從而可以降低驅(qū)動(dòng)電路的功耗，提高整體系統(tǒng)的能效。
• 快速的開(kāi)關(guān)能力：在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，需要頻繁地進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，NCE60P82AK憑借出色的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）與品質(zhì)因子（FOM，RDS(on)×Qg）可實(shí)現(xiàn)快速硬開(kāi)關(guān)，大幅度增強(qiáng)了應(yīng)用效率，成為DC-DC 轉(zhuǎn)換器的完美解決方案。
• 高性?xún)r(jià)比：作為N溝道SGT-I系列功率MOSFET 產(chǎn)品，NCEP60T18以技術(shù)水平和卓越的質(zhì)量管理保證了出色的產(chǎn)品性能和可靠性，在降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度的同時(shí)，提供了性?xún)r(jià)比。
• 出色的封裝：NCEP60T18的TO-220-3L封裝采用金屬外殼設(shè)計(jì)，具有良好的散熱能力，能夠有效降低器件工作時(shí)的溫度，從而提高整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。這對(duì)于需要高功率輸出的DC-DC轉(zhuǎn)換器尤為重要。

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