最新上架
更多- SC1808JKNPOWBN220國巨安規(guī)電容器選型資料-YAGEO電容代理
- 君耀SMBJ15CA tvs瞬態(tài)二極管選型資料/現(xiàn)貨價格/免費樣品-國巨君耀代理商
- 國巨CC0402KRX7R6BB104與基美C0402C104K8RACTU電容器對比分析
- NCEP039N10D:新潔能超級溝槽II代MOSFET的卓越性能與應(yīng)用
- Yageo高壓柔性端頭電容CS1206JKNPOZBN472參數(shù)規(guī)格-選型手冊-免費樣品
- 國巨君耀ESD靜電保護期間LBD52A24L01和LBT23C24L02的異同與選型建議
- 國巨君耀tvs二極管:SMAJ6.0CA 與 SMBJ6.0CA的異同及選用指南
- 風(fēng)華抗浪涌貼片電阻RAG-06K101JT與通用貼片電阻RS-06K101JT對比與選型
- 長晶科技CJ431與CJ431K電壓基準(zhǔn)芯片異同點分析與選用建議
- 長晶科技與UTC的2N7000 N溝道MOSFET參數(shù)異同及選用指南
飛秒晶振在Broadcom博通PAM4調(diào)制光模塊中的應(yīng)用
愛普生SG3225EEN/SG2520EGN 156.25MHz和SG2520EHN 164.425MHz是三款具有極低相位抖動的六腳多輸出差分晶振,基于石英晶體的壓電效應(yīng),通過正反饋機制迅速調(diào)整頻率,抖動上限小于50fs,使用在Broadcom(博通)高頻高速PAM4調(diào)制光模塊時,可以明顯提高高速光纖通信系統(tǒng)的傳輸速率和穩(wěn)定性。這三個飛秒晶振波形均為LV-PECL,電源電壓3.3V,待機電流≤60mA。對應(yīng)產(chǎn)品編碼分別為X1G0052210008\X1G0058810001和X1G0059210003,具體參數(shù)請點擊下表PN編碼鏈接:
平臺 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品描述 | 下載 / 購買 |
Broadcom 博通 | X1G0052210008 | SG3225EEN 156.250000MHz CJGA | 立即購買 |
X1G0058810001 | SG2520EGN 156.250000MHz CJGPZA | 立即購買 | |
X1G0059210003 | SG2520EHN 164.425000MHz CCGPZA | 立即購買 |
PAM4(Pulse Amplitude Modulation 4-Level)調(diào)制光模塊是一種采用四電平脈沖幅度調(diào)制技術(shù)的光模塊,它通過使用四種不同的信號電平來表示數(shù)據(jù),從而在相同的符號周期內(nèi)傳輸兩比特的邏輯信息,相比傳統(tǒng)的NRZ(Non-Return-to-Zero)調(diào)制方式,PAM4的比特速率是NRZ的兩倍,顯著提高了傳輸效率。以下是PAM4調(diào)制光模塊的相關(guān)信息:
PAM4調(diào)制光模塊的工作原理
在PAM4調(diào)制光模塊中,通過激光器的功率來控制“0”和“1”的傳輸。每個符號周期可以表示2比特的邏輯信息,相比于NRZ的1比特,傳輸效率提高了一倍。
PAM4調(diào)制光模塊的應(yīng)用場景
PAM4調(diào)制光模塊廣泛應(yīng)用于5G移動承載網(wǎng)、城域固定網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心DCI或DCN等場景,支持50G、單波100G、400G(非ZR)光模塊,滿足高帶寬網(wǎng)絡(luò)的需求。
PAM4調(diào)制光模塊的優(yōu)勢
傳輸效率高:在相同的符號周期內(nèi),PAM4信號的比特速率是NRZ信號的兩倍,提高了傳輸效率。
建設(shè)成本低:PAM4技術(shù)能夠在滿足更高傳送效率的同時,使用更少且目前已成熟應(yīng)用的光器件,大大降低了建設(shè)和研發(fā)成本。
PAM4調(diào)制光模塊的劣勢
傳輸距離短:由于PAM4信號更容易受到外界環(huán)境的干擾,較長的傳輸距離會導(dǎo)致更高的誤碼率。
設(shè)備熱量負(fù)擔(dān)大:PAM4調(diào)制技術(shù)可能會導(dǎo)致設(shè)備產(chǎn)生更多的熱量,需要有效的散熱解決方案。
PAM4調(diào)制光模塊以其高效的信號傳輸優(yōu)勢,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了技術(shù)支持,是未來光通信技術(shù)發(fā)展的重要方向。