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新潔能 NCE30P12S:適用于 PWM 和負(fù)載開關(guān)的卓越功率器件
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,功率 MOSFET 是實現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵元件。新潔能推出的增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借其優(yōu)質(zhì)性能,成為眾多工程師的理想選擇。今天就來了解下這款新潔能 NCE30P12S:適用于 PWM 和負(fù)載開關(guān)的卓越功率器件。
NCE30P12S 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供出色的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和低柵極電荷(Qg),同時支持低至 4.5V 的柵極電壓操作。這使得該器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別適合 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)。
高耐壓與大電流處理能力
NCE30P12S 的漏源電壓(VDS)高達(dá) -30V,能夠承受高電壓沖擊。連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá) -12A,滿足高功率應(yīng)用需求。這使得 NCE30P12S 能夠在各種高功率場景中穩(wěn)定運行,確保設(shè)備的可靠性和效率。
低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷
在 VGS=-4.5V 時,RDS(ON) 小于 21mΩ;在 VGS=-10V 時,RDS(ON) 小于 13mΩ。低導(dǎo)通電阻顯著降低了功耗,提高了系統(tǒng)的整體效率。同時,低柵極電荷(Qg)減少了開關(guān)損耗,確保了在高頻應(yīng)用中的快速響應(yīng)。
高功率處理能力
NCE30P12S 支持高功率和大電流處理,適用于高功率應(yīng)用。其高功率處理能力使其在 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)中表現(xiàn)出色,能夠滿足各種高功率需求。
無鉛封裝與表面貼裝
NCE30P12S 采用環(huán)保的無鉛封裝,符合現(xiàn)代電子設(shè)備的環(huán)保要求。SOP-8 封裝形式適合表面貼裝工藝,提高了生產(chǎn)效率,同時減少了焊接過程中的復(fù)雜性。
應(yīng)用場景
NCE30P12S 廣泛應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)。在 PWM 應(yīng)用中,NCE30P12S 提供高效的功率轉(zhuǎn)換和控制,確保信號的快速、準(zhǔn)確傳輸。在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,NCE30P12S 提供穩(wěn)定的電流控制,確保負(fù)載的可靠切換。
技術(shù)參數(shù)
參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
---|---|---|---|---|---|---|
漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -30 | - | - | V |
零柵極電壓漏極電流 | IDSS | VDS=-30V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
柵極-體漏漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.2 | -1.5 | -1 | V |
漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-10A | 11.5 | 13 | - | mΩ |
漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-7A | 15 | 21 | - | mΩ |
前向跨導(dǎo) | gFS | VDS=-10V, ID=-10A | - | 20 | - | S |
輸入電容 | Clss | VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 2419 | - | pF |
輸出電容 | Coss | - | 318 | - | - | pF |
反向轉(zhuǎn)移電容 | Crss | VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 262 | - | pF |
開啟延遲時間 | td(on) | VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=1Ω | - | 9 | - | nS |
開啟上升時間 | tr | - | - | 8 | - | nS |
關(guān)閉延遲時間 | td(off) | - | - | 28 | - | nS |
關(guān)閉下降時間 | tf | - | - | 10 | - | nS |
總柵極電荷 | Qg | VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V | - | 44.4 | - | nC |
柵極-源極電荷 | Qgs | - | - | 4.6 | - | nC |
柵極-漏極電荷 | Qgd | - | - | 10 | - | nC |
整流器正向電流 | IS | VGS=0V, IS=-12A | - | - | -12 | A |
整流器正向電壓 | VSD | VGS=0V, IS=-12A | - | -1.2 | - | V |
性能優(yōu)勢
NCE30P12S 的性能優(yōu)勢使其在各種應(yīng)用場景中都能提供卓越的性能。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷確保了在高頻應(yīng)用中的快速響應(yīng),而高功率處理能力則使其能夠滿足各種高功率需求。
新潔能 NCE30P12S P-Channel 增強(qiáng)型功率 MOSFET 憑借其卓越的性能和可靠性,成為 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)的理想選擇。無論是在 PWM 控制還是負(fù)載切換中,NCE30P12S 都能提供高效、穩(wěn)定和可靠的性能。選擇新潔能 NCE30P12S,開啟高效、穩(wěn)定和可靠的功率管理新時代。