新潔能NCE80H12D高性能N溝道MOSFET在硬開關(guān)和高頻電路中的應(yīng)用

NCE80H12D是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，其低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷特性使其在硬開關(guān)和高頻電路中表現(xiàn)出色。今天，南山電子說(shuō)一說(shuō)新潔能NCE80H12D高性能N溝道MOSFET在硬開關(guān)和高頻電路中的應(yīng)用。

 硬開關(guān)電路中的應(yīng)用

- 硬開關(guān)全橋電路：NCE80H12D可用于硬開關(guān)全橋電路，這種電路廣泛應(yīng)用于電源供應(yīng)器、UPS不間斷電源、新能源汽車充電系統(tǒng)和工業(yè)變頻器等。在這些應(yīng)用中，NCE80H12D的高電流承載能力（120A）和低導(dǎo)通電阻（小于6mΩ@VGS=10V），能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。

- 開關(guān)電源設(shè)計(jì)：在開關(guān)電源中，NCE80H12D作為功率開關(guān)管，其快速的開關(guān)速度和低柵極電荷有助于提高電源的開關(guān)頻率，從而減小變壓器和電感的體積。同時(shí)，其高耐壓（80V）和高電流能力能夠滿足高功率密度的設(shè)計(jì)需求。

 高頻電路中的應(yīng)用

- 高頻開關(guān)電源：在高頻開關(guān)電源中，NCE80H12D的低柵極電荷和快速開關(guān)特性使其能夠工作在較高的頻率下，減少開關(guān)損耗。這有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的電源設(shè)計(jì)，同時(shí)提高電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能。

- 高頻逆變器：在高頻逆變器中，NCE80H12D可用于構(gòu)建高頻逆變電路，其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力能夠提高逆變器的效率。此外，其高耐壓和高電流能力使其能夠承受較大的負(fù)載。

NCE80H12D憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和高耐壓等特性，在硬開關(guān)和高頻電路中能夠提供高效、可靠的性能，滿足多種高功率密度和高效率的應(yīng)用需求。

最后，介紹一下NCE80H12D的電氣特性。

- 關(guān)斷特性：

  - 漏源擊穿電壓（BVDSS）在VGS=0V、ID=250μA時(shí)，最小值為80V，最大值為89V。

  - 零柵極電壓漏極電流（IDSS）在VDS=80V、VGS=0V時(shí)，最大值為1μA。

  - 柵極-體二極管漏電流（IGSS）在VGS=±20V、VDS=0V時(shí)，最大值為±100nA。

- 導(dǎo)通特性：

  - 柵極閾值電壓（VGS(th)）在VDS=VGS、ID=250μA時(shí)，最小值為2V，典型值為3V，最大值為4V。

  - 漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V、ID=40A時(shí)，最小值為4.9mΩ，最大值為6mΩ。

  - 正向跨導(dǎo)（gFS）在VDS=25V、ID=57A時(shí)，最小值為90S。

- 動(dòng)態(tài)特性：

  - 輸入電容（Clss）最大值為6500pF。

  - 輸出電容（Coss）最大值為520pF。

  - 反向轉(zhuǎn)移電容（Crss）在VDS=25V、VGS=0V、F=1.0MHz時(shí)，最大值為460pF。

- 開關(guān)特性：

  - 開通延遲時(shí)間（td(on)）最大值為26ns。

  - 開通上升時(shí)間（tr）最大值為24ns。

  - 關(guān)斷延遲時(shí)間（td(off)）最大值為91ns。

  - 關(guān)斷下降時(shí)間（tf）最大值為39ns。

  - 總柵極電荷（Qg）最大值為163nC。

  - 柵極-源極電荷（Qgs）最大值為31nC。

  - 柵極-漏極電荷（Qgd）在VDS=30V、ID=30A、VGS=10V時(shí)，最大值為64nC。

- 漏源二極管特性：

  - 二極管正向電壓（VSD）在VGS=0V、IS=40A時(shí)，最大值為1.2V。

  - 二極管正向電流（IS）最大值為120A。

  - 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）在TJ=25℃、IF=40A、di/dt=100A/μs時(shí)，最小值為42ns，最大值為60ns。

  - 反向恢復(fù)電荷（Qrr）在TJ=25℃、IF=40A、di/dt=100A/μs時(shí)，最小值為66nC，最大值為80nC。