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新潔能NCE80H12D高性能N溝道MOSFET在硬開關(guān)和高頻電路中的應(yīng)用
NCE80H12D是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和低柵極電荷特性使其在硬開關(guān)和高頻電路中表現(xiàn)出色。今天,南山電子說(shuō)一說(shuō)新潔能NCE80H12D高性能N溝道MOSFET在硬開關(guān)和高頻電路中的應(yīng)用。
硬開關(guān)電路中的應(yīng)用
- 硬開關(guān)全橋電路:NCE80H12D可用于硬開關(guān)全橋電路,這種電路廣泛應(yīng)用于電源供應(yīng)器、UPS不間斷電源、新能源汽車充電系統(tǒng)和工業(yè)變頻器等。在這些應(yīng)用中,NCE80H12D的高電流承載能力(120A)和低導(dǎo)通電阻(小于6mΩ@VGS=10V),能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。
- 開關(guān)電源設(shè)計(jì):在開關(guān)電源中,NCE80H12D作為功率開關(guān)管,其快速的開關(guān)速度和低柵極電荷有助于提高電源的開關(guān)頻率,從而減小變壓器和電感的體積。同時(shí),其高耐壓(80V)和高電流能力能夠滿足高功率密度的設(shè)計(jì)需求。
高頻電路中的應(yīng)用
- 高頻開關(guān)電源:在高頻開關(guān)電源中,NCE80H12D的低柵極電荷和快速開關(guān)特性使其能夠工作在較高的頻率下,減少開關(guān)損耗。這有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的電源設(shè)計(jì),同時(shí)提高電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能。
- 高頻逆變器:在高頻逆變器中,NCE80H12D可用于構(gòu)建高頻逆變電路,其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力能夠提高逆變器的效率。此外,其高耐壓和高電流能力使其能夠承受較大的負(fù)載。
NCE80H12D憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和高耐壓等特性,在硬開關(guān)和高頻電路中能夠提供高效、可靠的性能,滿足多種高功率密度和高效率的應(yīng)用需求。
最后,介紹一下NCE80H12D的電氣特性。
- 關(guān)斷特性:
- 漏源擊穿電壓(BVDSS)在VGS=0V、ID=250μA時(shí),最小值為80V,最大值為89V。
- 零柵極電壓漏極電流(IDSS)在VDS=80V、VGS=0V時(shí),最大值為1μA。
- 柵極-體二極管漏電流(IGSS)在VGS=±20V、VDS=0V時(shí),最大值為±100nA。
- 導(dǎo)通特性:
- 柵極閾值電壓(VGS(th))在VDS=VGS、ID=250μA時(shí),最小值為2V,典型值為3V,最大值為4V。
- 漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V、ID=40A時(shí),最小值為4.9mΩ,最大值為6mΩ。
- 正向跨導(dǎo)(gFS)在VDS=25V、ID=57A時(shí),最小值為90S。
- 動(dòng)態(tài)特性:
- 輸入電容(Clss)最大值為6500pF。
- 輸出電容(Coss)最大值為520pF。
- 反向轉(zhuǎn)移電容(Crss)在VDS=25V、VGS=0V、F=1.0MHz時(shí),最大值為460pF。
- 開關(guān)特性:
- 開通延遲時(shí)間(td(on))最大值為26ns。
- 開通上升時(shí)間(tr)最大值為24ns。
- 關(guān)斷延遲時(shí)間(td(off))最大值為91ns。
- 關(guān)斷下降時(shí)間(tf)最大值為39ns。
- 總柵極電荷(Qg)最大值為163nC。
- 柵極-源極電荷(Qgs)最大值為31nC。
- 柵極-漏極電荷(Qgd)在VDS=30V、ID=30A、VGS=10V時(shí),最大值為64nC。
- 漏源二極管特性:
- 二極管正向電壓(VSD)在VGS=0V、IS=40A時(shí),最大值為1.2V。
- 二極管正向電流(IS)最大值為120A。
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)在TJ=25℃、IF=40A、di/dt=100A/μs時(shí),最小值為42ns,最大值為60ns。
- 反向恢復(fù)電荷(Qrr)在TJ=25℃、IF=40A、di/dt=100A/μs時(shí),最小值為66nC,最大值為80nC。