新潔能NCE3407高性能P溝道增強型功率MOSFET適用于PWM等多種應(yīng)用場景

NCE3407是由無錫新潔能NCE功率有限公司生產(chǎn)的一款P溝道增強型功率MOSFET。它采用先進的溝槽技術(shù)，能夠提供出色的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），并具備高功率和電流處理能力，適用于多種應(yīng)用場景，如PWM應(yīng)用、負載開關(guān)和功率管理等，即新潔能NCE3407高性能P溝道增強型功率MOSFET適用于PWM等多種應(yīng)用場景。

基本特性

- 電氣參數(shù)：

- 漏源電壓（VDS）：-30V

- 連續(xù)漏極電流（ID）：-4.6A

- 脈沖漏極電流（IDM）：-20A

- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：

- 在VGS=-10V時，RDS(ON)小于65mΩ

- 在VGS=-4.5V時，RDS(ON)小于95mΩ

- 封裝形式：采用SOT-23封裝，這種封裝形式結(jié)構(gòu)緊湊，適合表面貼裝，能夠滿足高密度、小型化應(yīng)用的需求，同時也有利于良好的散熱性能。

- 環(huán)保特性：NCE3407是一款無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求，適用于對環(huán)保有嚴格要求的應(yīng)用場景。

應(yīng)用領(lǐng)域

NCE3407適用于多種應(yīng)用場景，包括但不限于：

- PWM應(yīng)用：在脈寬調(diào)制（PWM）電路中，NCE3407能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在高頻PWM應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠有效減少開關(guān)損耗，提高電路效率。

- 負載開關(guān)：在電源管理系統(tǒng)中，NCE3407可以用作負載開關(guān)，快速、準確地控制電源與負載之間的連接和斷開，實現(xiàn)電源的高效管理和分配。

- 功率管理：在各種電子設(shè)備中，NCE3407可用于功率管理電路，實現(xiàn)電源的開關(guān)控制、電壓調(diào)節(jié)等功能，提高設(shè)備的能效和可靠性。

電氣特性與動態(tài)性能

- 導(dǎo)通特性：

- 在VGS=-10V、ID=-4.6A的條件下，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）的典型值為48mΩ，最大值為65mΩ。

- 在VGS=-4.5V、ID=-4A時，RDS(ON)的典型值為60mΩ，最大值為95mΩ。

- 動態(tài)特性：

- 輸入電容（Clss）：650pF

- 輸出電容（Coss）：105pF

- 反向傳輸電容（Crss）：65pF

- 開關(guān)特性：

- 開通延遲時間（td(on)）：8.5ns

- 開通上升時間（tr）：4.5ns

- 關(guān)斷延遲時間（td(off)）：26ns

- 關(guān)斷下降時間（tf）：12.5ns

- 總柵極電荷（Qg）：12.5nC

- 柵極源極電荷（Qgs）：2.8nC

- 柵極漏極電荷（Qgd）：2.7nC

安全與可靠性

- 雪崩能力：雖然NCE3407的規(guī)格書中沒有明確提到雪崩能量（EAS），但其具有較高的漏源電壓（VDS）和漏極電流（ID）能力，能夠在一定程度上承受過載和異常情況，增強了器件在復(fù)雜工作環(huán)境下的可靠性。

- 測試與認證：該產(chǎn)品經(jīng)過了嚴格的測試，確保了其在生產(chǎn)過程中的質(zhì)量和一致性，為用戶提供了可靠的保障。

封裝信息與注意事項

- 封裝尺寸：NCE3407采用SOT-23封裝，其封裝尺寸為：

- A：1.25mm

- B：1.25mm

- C：0.60mm

- D：2.50mm

- E：1.25mm

- L：0.80mm

- 使用注意事項：雖然NCE3407具有高性能和可靠性，但在使用時仍需注意其最大額定值和工作條件范圍，避免超過規(guī)格參數(shù)導(dǎo)致設(shè)備損壞。此外，用戶在將其應(yīng)用于特定產(chǎn)品或設(shè)備時，應(yīng)進行充分的評估和測試，以確保其性能和功能符合實際需求。

綜上所述，NCE3407憑借其低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和緊湊的封裝形式，能夠滿足PWM應(yīng)用、負載開關(guān)和功率管理等多種應(yīng)用的需求，是現(xiàn)代電子設(shè)備中理想的功率MOSFET選擇。