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新潔能NCE3407高性能P溝道增強型功率MOSFET適用于PWM等多種應(yīng)用場景
NCE3407是由無錫新潔能NCE功率有限公司生產(chǎn)的一款P溝道增強型功率MOSFET。它采用先進的溝槽技術(shù),能夠提供出色的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),并具備高功率和電流處理能力,適用于多種應(yīng)用場景,如PWM應(yīng)用、負載開關(guān)和功率管理等,即新潔能NCE3407高性能P溝道增強型功率MOSFET適用于PWM等多種應(yīng)用場景。
基本特性
- 電氣參數(shù):
- 漏源電壓(VDS):-30V
- 連續(xù)漏極電流(ID):-4.6A
- 脈沖漏極電流(IDM):-20A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
- 在VGS=-10V時,RDS(ON)小于65mΩ
- 在VGS=-4.5V時,RDS(ON)小于95mΩ
- 封裝形式:采用SOT-23封裝,這種封裝形式結(jié)構(gòu)緊湊,適合表面貼裝,能夠滿足高密度、小型化應(yīng)用的需求,同時也有利于良好的散熱性能。
- 環(huán)保特性:NCE3407是一款無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求,適用于對環(huán)保有嚴格要求的應(yīng)用場景。
應(yīng)用領(lǐng)域
NCE3407適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于:
- PWM應(yīng)用:在脈寬調(diào)制(PWM)電路中,NCE3407能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在高頻PWM應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效減少開關(guān)損耗,提高電路效率。
- 負載開關(guān):在電源管理系統(tǒng)中,NCE3407可以用作負載開關(guān),快速、準確地控制電源與負載之間的連接和斷開,實現(xiàn)電源的高效管理和分配。
- 功率管理:在各種電子設(shè)備中,NCE3407可用于功率管理電路,實現(xiàn)電源的開關(guān)控制、電壓調(diào)節(jié)等功能,提高設(shè)備的能效和可靠性。
電氣特性與動態(tài)性能
- 導(dǎo)通特性:
- 在VGS=-10V、ID=-4.6A的條件下,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))的典型值為48mΩ,最大值為65mΩ。
- 在VGS=-4.5V、ID=-4A時,RDS(ON)的典型值為60mΩ,最大值為95mΩ。
- 動態(tài)特性:
- 輸入電容(Clss):650pF
- 輸出電容(Coss):105pF
- 反向傳輸電容(Crss):65pF
- 開關(guān)特性:
- 開通延遲時間(td(on)):8.5ns
- 開通上升時間(tr):4.5ns
- 關(guān)斷延遲時間(td(off)):26ns
- 關(guān)斷下降時間(tf):12.5ns
- 總柵極電荷(Qg):12.5nC
- 柵極源極電荷(Qgs):2.8nC
- 柵極漏極電荷(Qgd):2.7nC
安全與可靠性
- 雪崩能力:雖然NCE3407的規(guī)格書中沒有明確提到雪崩能量(EAS),但其具有較高的漏源電壓(VDS)和漏極電流(ID)能力,能夠在一定程度上承受過載和異常情況,增強了器件在復(fù)雜工作環(huán)境下的可靠性。
- 測試與認證:該產(chǎn)品經(jīng)過了嚴格的測試,確保了其在生產(chǎn)過程中的質(zhì)量和一致性,為用戶提供了可靠的保障。
封裝信息與注意事項
- 封裝尺寸:NCE3407采用SOT-23封裝,其封裝尺寸為:
- A:1.25mm
- B:1.25mm
- C:0.60mm
- D:2.50mm
- E:1.25mm
- L:0.80mm
- 使用注意事項:雖然NCE3407具有高性能和可靠性,但在使用時仍需注意其最大額定值和工作條件范圍,避免超過規(guī)格參數(shù)導(dǎo)致設(shè)備損壞。此外,用戶在將其應(yīng)用于特定產(chǎn)品或設(shè)備時,應(yīng)進行充分的評估和測試,以確保其性能和功能符合實際需求。
綜上所述,NCE3407憑借其低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和緊湊的封裝形式,能夠滿足PWM應(yīng)用、負載開關(guān)和功率管理等多種應(yīng)用的需求,是現(xiàn)代電子設(shè)備中理想的功率MOSFET選擇。