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7代IGBT型號推薦:新潔能 NCE100ED65VTP(650V/100A)和英飛凌IGBT IKW75N65ET7XKSA1
IGBT 功率器件經(jīng)歷了七代升級:襯底從 PT 穿通,NPT 非穿通到 FS 場 截止,柵極從平面到 Trench 溝槽,最后到目前的第七代的精細 Trench 溝槽。 基于微溝槽場截止技術,七代IGBT可大幅提高器件的元胞結構密度。采用載流子存儲設計、多梯度緩沖層設計、超薄漂移區(qū)設計,大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關特性,為系統(tǒng)設計提供更大的余量。
以新潔能NCE40ED65VT~NCE160ED65VTP這十一款七代(Gen.7 )大電流IGBT為例,在100℃標稱電流達到40A~160A。
來源自英飛凌官方微信公眾號的信息,英飛凌目前主推的在七代IGBT是20A(IKW20N65ET7XKSA1)~75(IKW75N65ET7XKSA1)的五款型號的。而國產IGBT品牌新潔能可以量產100A(NCE100ED65VTP4等)和160A的(NCE160ED65VTP等)的幾款產品。
新潔能(NCE) Gen.7 IGBT 系列產品為匹配不同應用需求,開發(fā)了不同參數(shù)特點的產品系列,今天要介紹的“V”系列產品具有較大的飽和電流和良好的導通損耗/開關損耗折中特性,非常適合光伏逆變、儲能、UPS 等應用。
以650V 40A(NCE40ED65VT)規(guī)格為例,該產品是一款650V、TO-247 封裝、100℃下額定電流 40A的產品。與常見的相近規(guī)格產品進行實測對比,詳細數(shù)據(jù)如下:
從測試數(shù)據(jù)來看,NCE40ED65VT 的正向導通壓降和二極管續(xù)流壓降都具有優(yōu)勢,無論是在正向導通還是續(xù)流時都具備更小的器件損耗,并且具備與同規(guī)格競品相近的開關損耗。關斷過程中 NCE40ED65VT 尖峰電壓 VCEpeak 較低,為實際應用提供更充分的有效電壓余 量。新潔能 Gen.7 IGBT 系列產品不但可以通過 JEDEC 標準中的常規(guī)可靠性項目,也可以通 過 HV-H3TRB 等更高要求的可靠性項目,滿足實際應用中同時具備高溫、高濕、高壓的嚴苛應用要求。 新潔能 Gen.7 IGBT “V”系列 650V 產品目前已量產 40A~200A 等多個電流規(guī)格產品, 由于 Gen.7 IGBT 芯片具備更高的電流密度,可以完成相同體積內更大電流的產品以及相同 電流更小的封裝體積。例如,650V 50A 產品可以封裝進 TO-263 封裝,650V 200A 的 TO-247Plus 封裝。同時大電流產品開發(fā)了具有開爾文引腳的 4L 封裝。
目前除了已量產的TO-247封裝外,新潔能7代大電流IGBT還可以提供TO-220/TO-220F/TO-263/TO-3P/TO-3PF等多種封裝。詳見下表:
從官方網(wǎng)站和微信公眾號分享的信息看,新潔能IGBT和英飛凌IGBT品牌都具有較高的技術實力,下表整理了兩個品牌的幾款7代大電流IGBT型號推薦給您參考:
型號 | 封裝 | Vces(V) | IC(A)@100℃ |
---|---|---|---|
NCE40ED65VT | TO-247-3L | 650 | 40 |
NCE50ED65VT | TO-247-3L | 50 | |
NCE75ED65VT | TO-247-3L | 75 | |
NCE75ED65VT4 | TO-247-4L | 75 | |
NCE75ED65VTP | TO-247P-3L | 75 | |
NCE100ED65VT | TO-247-3L | 100 | |
NCE100ED65VTP | TO-247P-3L | 100 | |
NCE100ED65VT4 | TO-247-4L | 100 | |
NCE100ED65VTP4 | TO-247P-4L | 100 | |
NCE160ED65VTP | TO-247P-3L | 160 | |
NCE160ED65VTP4 | TO-247P-4L | 160 | |
IKW20N65ET7XKSA1(SP005348286) | TO-247 | 27.5 | |
IKW30N65ET7XKSA1(SP005348289) | TO-247 | 39.1 | |
IKW40N65ET7XKSA1(SP005403468) | TO-247 | 49.5 | |
IKW50N65ET7XKSA1(SP005348292) | TO-247 | 59.7 | |
IKW75N65ET7XKSA1(SP005348294) | TO-247 | 78.5 |