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新潔能新品mos：40V Gen.3 SGT MOSFET系列，功率密度與效率全面升級
新潔能MOSFET授權(quán)代理商南山電子今天為大家介紹一下新潔能推出的第三代 SGT 產(chǎn)品 ——40V Gen.3 SGT MOSFET 系列，該系列產(chǎn)品采用國際先進屏蔽柵溝槽工藝技術(shù)，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的開關(guān)特性和導通特性。
新潔能 40V Gen.3 SGT MOSFET 系列特征比導通電阻 Rsp 相比上一代產(chǎn)品降低 33%，品質(zhì)因子 FOM 降低 31%，具備更高的電流密度、功率密度和魯棒性。此外，該系列產(chǎn)品通過三維溝槽結(jié)構(gòu)創(chuàng)新與低阻晶圓工藝技術(shù)升級，提高全溫度區(qū)間 Ron 穩(wěn)定性，突破傳統(tǒng)導通損耗與散熱的極限平衡。以同面積的 MOS 芯片相比，Gen.3 在 150℃結(jié)溫下 Ron 增量較 Gen.1 減少 16%，在保持超低 Ron 的同時，實現(xiàn)溫升效率行業(yè)領(lǐng)先，有效解決高溫場景下的效率衰減難題，助力系統(tǒng)小型化與長期可靠性，重構(gòu)中低壓功率器件的熱管理能力。
產(chǎn)品特點：
- 超低特征導通電阻 Rsp（導通電阻 Ron * 芯片面積 AA）
- 極優(yōu)品質(zhì)因子 FOM（導通電阻 Ron * 柵極總電荷 Qg）
- 更小閾值電壓 Vth Range，利于并聯(lián)應用
- 更優(yōu)溫升效率，有效解決高溫場景下的效率衰減難題
- 極高功率密度
- 更優(yōu)抗振蕩能力
- 更強魯棒性
- 更齊全的封裝形式
- 更齊全的電阻、電流型號規(guī)格
NCE世代產(chǎn)品與最優(yōu)競品Rsp性能對比：
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NCE世代產(chǎn)品Ron溫升性能對比：
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為方便客戶在不同場景下使用，40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品細分為高VTH和低VTH兩個細分方向，并提供不同RDS(ON)檔位，無論是電機驅(qū)動、鋰電池保護、同步整流，還是新能源汽車與AI算力等應用，客戶都能靈活選型。此外，產(chǎn)品封裝也十分豐富，涵蓋DFN5×6、DFN5×6-DSC、sTOLL、TOLL等多種常用形式，能夠支持更靈活的交期和本地化服務(wù)。
品型號_202511073b125e11.jpg)
應用領(lǐng)域：
- 新能源汽車
- AI 算力
- 通信服務(wù)器
- 不間斷電源 UPS
- 鋰電池保護
- 電動工具
- 無人機
- 適配器
命名規(guī)則：
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南山電子自2020年起成為新潔能（NCE）的正式授權(quán)代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列產(chǎn)品，我們致力于為客戶提供穩(wěn)定可靠的現(xiàn)貨供應與專業(yè)的全方位技術(shù)支持。如需獲取最新產(chǎn)品信息，歡迎隨時通過南山半導體官網(wǎng)的在線客服或撥打客服熱線 400-888-5058 與我們聯(lián)系。
