MOSFET與IGBT

無錫新潔能專業(yè)從事半導體功率器件的研發(fā)與銷售。目前新潔能主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術產(chǎn)品認定。公司是高新技術企業(yè)、中國半導體功率器件十強企業(yè)（中國半導體協(xié)會，2016&2017&2018年），擁有江蘇省功率器件工程研究中心、江蘇省研究生工作站，注重先進半導體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，多項研發(fā)成果在IEEE、ISPSD等國際期刊/國際會議上發(fā)表，并被SCI、EI索引。
新潔能MOS管與IGBT產(chǎn)品圖片

新潔能MOSFET:

作為新潔能MOSFET分立器件授權代理商，南山電子致力于推廣性能優(yōu)良、質量穩(wěn)定并且具有價格競爭力的全系列MOS管產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O計師們提供全面的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合最先進的封裝技術，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。新潔能專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理及電能轉換。

通過采用最先進的溝槽柵工藝技術和電流通路布局結構，新潔能MOSFET實現(xiàn)了功率密度最大化，從而大幅度降低電流傳導過程中的導通損耗。同時，電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩(wěn)定；應對于高頻率的開關應用，我們?yōu)樵O計師們提供低開關損耗的系列產(chǎn)品（產(chǎn)品名稱后加標C），其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。通過采用這些先進的技術手段，MOSFET的FOM（品質因子（Qg*Rdson））得以實現(xiàn)行業(yè)內的領先水平。

應對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了Body Diode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時，降低反向恢復過程中的峰值電流（Irm）和電壓（Vrm）。

新潔能結合最先進的封裝技術將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產(chǎn)品名稱后加標H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

特點與優(yōu)勢：

·低FOM（Rdson*Qg） ? ? ?·高雪崩耐量,100%經(jīng)過EAS測試 ? ? ?·低反向恢復電荷（Qrr）,低反向恢復峰值電流（Irm）

·抗靜電能力（ESD） ? ? ?? ? ?·抗靜電能力（ESD） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?·符合RoHS標準

應用：

·各類鋰電池保護模塊 ? ? ? ? ?·手機、平板電腦等便攜式數(shù)碼產(chǎn)品電源管理 ? ? ? ? ·LED TV等消費類電子產(chǎn)品電源

·電動交通工具控制器 ? ? ? ? ?·不間斷電源，逆變器和各類電力電源 ? ? ? ? ? ? ? ?·LED照明

新潔能IGBT

IGBT:

新一代（Trench FS II）IGBT系列產(chǎn)品，?基于溝槽電場截止型IGBT技術（Trench Field Stop）理論，進一步優(yōu)化了器件結構，采用了先進超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，顯著改善了動態(tài)、靜態(tài)性能。相比上一代（Trench FS）IGBT，新一代（Trench FS II）IGBT芯片面積更小，芯片厚度更?。粚▔航担╒CEsat）降低約0.3V，開關損耗降低20%以上；器件可耐工作溫度更高，使用壽命更長；且維持了較強的短路能力、較高的參數(shù)一致性；綜合性能達到業(yè)內領先水平。

針對不同的應用需求，推出了完善的IGBT產(chǎn)品系列，確保在特定應用中，器件保持最佳工作狀態(tài)，助您實現(xiàn)最理想的整機效率。

對于焊接、太陽能、UPS、電機驅動和家用電器等硬開關應用，推出了低速（<20KHZ）和高速系列（<60KHZ）產(chǎn)品系列，提供各種封裝形式，方便用戶靈活設計。

對于感應加熱、太陽能等諧振開關應用，推出了新一代1200V、1350V產(chǎn)品系列，具有高擊穿電壓、大通流容量等優(yōu)勢；與反并聯(lián)二極管或單片集成二極管合并封裝，方便應用設計。

特點與優(yōu)勢：

- 低導通壓降（VCEsat） ? ? ? ? ?-低開關損耗（Ets） ? ? ? ? ?-短路能力10us ? ? ? ? ?- 低電磁干擾?

- 電參數(shù)重復性和一致性 ? ? ? ? ?- 高可靠性 ? ? ? ?? ?? ?? ?? ?? ?- 高溫穩(wěn)定性 ? ? ? ? ?- 符合RoHS標準?

應用：

-?電機驅動??????????????-?逆變焊機??????????????????????-?不間斷電源UPS ???????? ????-?變頻器?????????

-?工業(yè)逆變器??????????-?太陽能功率轉換器? ? ? ???-?電磁感應加熱? ? ? ? ? ? ? ???-?諧振開關應用

熱銷MOS管與IGBT型號
NCE2301	NCE9926	NCE0106Z
NCE3416	NCE01P13K	NCE30H10K
NCE2302	NCE603S	NCE3050K
NCE3420	NCE0140KA	NCEP6080AG
NCE3404	NCE2333Y	NCE4060K
NCE4935	NCE2030K	NCEP0112AS
NCE3007S	NCE3080KA	NCE6009AS
NCE0103Y	NCEP1520K	NCEP60T12AK
NCE40P05Y	NCEP40T13GU	NCE3025Q
NCE3400AY	NCE3415	NCE2303