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高頻電容知識集錦

   瓷介電容，無感CBB電容, CBB電容（如WIMA電容），云母電容［如金、銀云母電容）, 獨(dú)石電容等均屬高頻電容.?！　?br />
高頻電容的運(yùn)用范圍：
         常用于頻率較高的諧振、開關(guān)、耦合、退耦、電路中。

高頻電容的工作原理：
        與普通電容工作原理一樣，也是充電放電，只不過是選用了更適合于高頻信號的介質(zhì)和極板，加快充放電速度，與普通電容相比對高頻信號的容抗更小。另外，高頻電容的尺寸更小，以便PCB布線寬度與電容焊盤寬度做成差不多尺寸，保證特性阻抗沒有大的變化，從而減小信號反射。

高頻下電容的使用原則一般如下：
　　1. 電源輸入端跨接10 ~100uf的電解電容器。如有可能，接100uf以上的更好。
　　2. 原則上每個(gè)集成電路芯片都應(yīng)布置一個(gè)0.01pf的瓷片電容，如遇印制板空隙不夠，可每4~8個(gè)芯片布置一個(gè)1 ~ 10pf的但電容。
　　3. 對于抗噪能力弱、關(guān)斷時(shí)電源變化大的器件，如 ram、rom存儲器件，應(yīng)在芯片的電源線和地線之間直接入退藕電容。
　　4、電容引線不能太長，尤其是高頻旁路電容不能有引線。

高頻電容與低頻電容的比較：
        高頻電容和低頻電容的區(qū)別是由構(gòu)成它的材料和結(jié)構(gòu)決定的，不是由容量決定的. 　　高頻電容適合用于高頻濾波的場合。比如電腦主板和開關(guān)電源的二次輸出整流，低頻電容適合用于低頻濾波的場合。比如交流電整流以后的濾波。

普通電解電容與高頻電容的比較：
        普通電解電容具有容量大的特點(diǎn)，它同時(shí)也有漏電的缺點(diǎn)，它的絕緣材料是電解質(zhì)；高頻電容具有高電阻率的優(yōu)點(diǎn)也有電容容量小的缺點(diǎn)，它的絕緣材料是云母一類的具有高介電常數(shù)的物質(zhì)組成。普通電解電容主要用于電源濾波，有漏電對電路幾乎沒有多大影響；高頻電容主要用于高頻電路中，高頻電路中要求漏電小，容量要求也小，一般小電容就可以勝任。

介紹幾種高頻電容：
　 1、NPO高頻電容器
　 NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于± 0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。 NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好?！　　?br />      2、X7R高頻電容器
　 X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。
　 X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。
     3、Z5U高頻電容器
　 Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的老化率最大可達(dá)每10年下降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。

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