如何理解貼片電容介質(zhì)擊穿強(qiáng)度（介質(zhì)強(qiáng)度）

本文主要對(duì)貼片電容介質(zhì)擊穿強(qiáng)度（介質(zhì)強(qiáng)度）的概念，原理進(jìn)行了簡(jiǎn)要說(shuō)明。如需了解更多，請(qǐng)咨詢(xún)風(fēng)華代理商南京南山在線客服。南山主營(yíng)的片容產(chǎn)品包括風(fēng)華全系列陶瓷貼片電容器（MLCC）、立隆鋁電解電容器和AVX、kement鉭電容器等。南京大量現(xiàn)貨，提供小批量服務(wù)。以下為正文：

介質(zhì)強(qiáng)度這個(gè)概念用以描述介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場(chǎng)作用而不被電擊穿的能力，通常用伏特/密爾（V/mil)或伏特/厘米（V/cm)表示。

當(dāng)外電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí)，材料晶體點(diǎn)陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場(chǎng)致電子發(fā)射，產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì)，使其失效。除此之外，介質(zhì)失效還有另一種模式，高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度，如果在這個(gè)程度上延續(xù)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，將會(huì)在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流。這種模式與溫度密切相關(guān)，介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降。任何絕緣體的本征介質(zhì)強(qiáng)度都會(huì)因?yàn)椴牧衔⒔Y(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降，而且和絕緣電阻一樣，介質(zhì)強(qiáng)度也與幾何尺寸密切相關(guān)。由于材料體積增大會(huì)導(dǎo)致缺陷隨機(jī)出現(xiàn)的概率增大，因此介質(zhì)強(qiáng)度反比于介質(zhì)層厚度，如上圖所示。
類(lèi)似地，介質(zhì)強(qiáng)度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸。
基于以上考慮，進(jìn)行片式電容器留邊量設(shè)計(jì)時(shí)需要確保在使用過(guò)程中和在進(jìn)行耐壓測(cè)試（一般為其工作電壓的3倍（風(fēng)華貼片電容標(biāo)準(zhǔn)），中高壓貼片電容一般2倍~1.2倍）時(shí)，不發(fā)生擊穿失效。
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