場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)與使用注意事項(xiàng)

場(chǎng)效應(yīng)管的選型參數(shù)
1 I_DSS：飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U _GS=0時(shí)的漏源電流。
2 U_P：夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。
3 U_T：開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。
4 g_M：跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U _GS — 對(duì)漏極電流I _D的控制能力，即漏極電流I _D變化量與柵源電壓U_GS變化量的比值。g_M 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。
5 BU_DS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓U_GS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。
6 P_DSM：最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于P_DSM并留有一定余量。
7 I_DSM：最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過I_DSM
 
場(chǎng)效應(yīng)管使用注意事項(xiàng)
1 MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝
2 取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。
3 焊接用的電烙鐵必須良好接地。
4 在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開。
5 MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。
6 電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。
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