“功率半導(dǎo)體器件”領(lǐng)域?qū)＠治銎占巴茝V項(xiàng)目

為提高企業(yè)專利信息運(yùn)用能力，提升全社會(huì)專利信息運(yùn)用意識(shí)，助力國(guó)家產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局自2010年啟動(dòng)了專利分析普及推廣項(xiàng)目。專利分析普及推廣項(xiàng)目的工作原則是“源于產(chǎn)業(yè)、依靠產(chǎn)業(yè)、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)”。在“十二五”期間，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局將從戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、高技術(shù)產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)中選擇50個(gè)熱點(diǎn)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行研究。目前，已完成16個(gè)產(chǎn)業(yè)的專利分析，并以《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告（1-6冊(cè)）》形式公開出版。
 
　　2012年國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局繼續(xù)開展專利分析普及推廣項(xiàng)目工作，并已確定10個(gè)研究課題。其中“功率半導(dǎo)體器件”領(lǐng)域作為最終確定的項(xiàng)目之一，已經(jīng)啟動(dòng)并正在進(jìn)行研究，目前已經(jīng)完成關(guān)鍵技術(shù)“IGBT（絕緣柵雙級(jí)型晶體管）”領(lǐng)域的初步分析。

　　為了使得課題組最終形成的分析報(bào)告更具有實(shí)際指導(dǎo)意義和針對(duì)性，非常歡迎本領(lǐng)域的相關(guān)企業(yè)以及關(guān)注該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)專家、技術(shù)專家參與到課題組的研究工作中！

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        該項(xiàng)目的主要研究?jī)?nèi)容包括：
　　1、功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的全球?qū)＠治龊椭袊?guó)專利分析（包括申請(qǐng)量分析、區(qū)域分布、申請(qǐng)人、發(fā)明人、技術(shù)分布等）；
　　2、深入分析關(guān)鍵技術(shù)“IGBT（絕緣柵雙級(jí)型晶體管）”領(lǐng)域的專利分布；
　　3、深入分析“SiC（碳化硅）材料功率半導(dǎo)體器件”領(lǐng)域的專利分布；
　　4、主要申請(qǐng)人的深入分析（初步選定三菱、英飛凌、ABB）；
　　5、重要專利篩選和分析；
　　6、技術(shù)演進(jìn)、技術(shù)功效分析等。